刘灿

二维半导体具有出色的静电控制能力，但要制造实用的电子器件，必须在整片晶圆上形成均匀材料。2025年，刘灿及其合作者在《科学》杂志发表了一种用于晶圆级硒化铟的固—液—固生长方法，随后将该材料集成到晶体管阵列中。该项目融合了生长化学、结构表征和器件制造。机构发布的信息称，实测的若干关键器件指标超过了作为参照的三纳米硅器件性能；这一比较仅适用于所报告的测试，并不意味着其整体工艺更优。刘灿作为共同通讯作者，表明他在这支大型团队中发挥了科研领导作用。这项成果之所以重要，是因为它同时应对了规模化与集成问题——许多前景可观的二维材料正是在这一环节不再具备成为半导体平台的可行性。