朱慧慧

锡钙钛矿为高迁移率p沟道电子器件提供无铅路径，但不稳定性与工艺不兼容限制了规模。朱慧慧共同构思并监督一项2025年《自然·电子学》研究，利用兼容工业的气相沉积，在49平方厘米晶圆上制造锡钙钛矿薄膜晶体管。论文报告的迁移率为33.8平方厘米/伏秒，开关比接近10^8，共制造576个器件；在所述条件下，未封装器件稳定性超过150天。这些并非孤立薄片的数据，均匀性与器件数量是主张的核心。工作距离生产线仍有距离，却把讨论从锡钙钛矿能否发挥性能，转向能否以实用规模加工、阵列化并稳定。